[发明专利]一种利用两次划片制备的GaN基发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201110382594.3 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137810A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 于峰;王贤洲;彭璐;赵霞炎 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片，包括衬底层上依次是N型导电层、有源层、P型导电层和电流扩展层，在N型导电层和电流扩展层上分别是N电极和P电极；所述单个GaN基发光二极管芯片的纵截面的外形轮廓为八边形。本发明采用两次激光划片技术分别在GaN基发光二极管芯片的正面和背面划片，使单个GaN基发光二极管芯片具有八边形侧壁，增大侧壁出光角度，大大提高了GaN基发光二极管芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 两次 划片 制备 gan 发光二极管 芯片 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管芯片，包括衬底层上依次是N型导电层、有源层、P型导电层和电流扩展层，在N型导电层和电流扩展层上分别是N电极和P电极；所述单个GaN基发光二极管芯片的纵截面的外形轮廓为八边形。
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