[发明专利]基于绝缘层上硅技术快闪存储器结构光敏可控器件有效
| 申请号： | 201110382683.8 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102437230A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 闫锋;吴福伟 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/111 | 分类号： | H01L31/111 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。工作在电信号增大模式下时，首先对器件进行擦除，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，测试漏端电流；对器件进行擦除操作，使电荷存储层中存有大量空穴，工作时，将栅极和衬底短接并浮空，源极接地，漏极加正电压，电压大小为0.01V至3V，测试漏端电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘 层上硅 技术 闪存 结构 光敏 可控 器件 | ||
【主权项】：
基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，其特征是包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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