[发明专利]内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器

摘要

一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。本发明所述内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器克服了p-n和p-i-n结构紫外光单光子探测器复杂的工艺流程带来的工艺控制困难、成本昂贵的问题。

主权项

一种内置负反馈金属‑半导体‑金属紫外光单光子探测器，其特征是每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。