[发明专利]一种制作结晶态高K栅介质材料的方法无效
| 申请号： | 201110383802.1 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102437042A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;薛百清;常虎东;孙兵;王盛凯;卢力;王虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作结晶态高K栅介质材料的方法，该方法包括：在单晶衬底上沉积非晶态高K栅介质材料，以及借助于退火工艺将该非晶态高K栅介质材料结晶为结晶态高K栅介质材料；或者在Ge衬底上直接外延生长结晶态高K栅介质材料。本发明提供的制作结晶态高K栅介质材料的方法，使在Ge上生长的结晶态高K栅介质材料的晶格常数与Ge相近，能够形成低缺陷密度的界面结构，从而解决了Ge基MOS场效应晶体管的界面态问题，进而能够获得高性能的Ge基MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 结晶 介质 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制作结晶态高K栅介质材料的方法，其特征在于，该方法包括：在单晶衬底上沉积非晶态高K栅介质材料，以及借助于退火工艺将该非晶态高K栅介质材料结晶为结晶态高K栅介质材料；或者在Ge衬底上直接外延生长结晶态高K栅介质材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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