[发明专利]静电放电保护装置

摘要

一种静电放电保护装置，包括浮接的P型半导体基板；第一通用N型井区形成于该P型半导体基板中；第一通用N型掺杂区形成于第一通用N型井区中；第一通用P型掺杂区形成于第一通用N型井区中；第二通用N型井区形成于P型半导体基板中；第二通用N型掺杂区形成于第二通用N型井区中并连接参考电位节点；第二通用P型掺杂区形成于第二通用N型井区中；第三通用P型掺杂区形成于第一与第二通用N型井区之间，并连接第一通用N型掺杂区与第二通用P型掺杂区；以及多个周边N型井区形成于P型半导体基板中，这些周边N型井区中具有P型及N型掺杂区，其中N型掺杂区电性连接第一通用P型掺杂区。

主权项

一种静电放电保护装置，包括：一P型半导体基板，该P型半导体基板为浮接；一第一通用N型井区形成于该P型半导体基板中；一第一通用N型掺杂区形成于该第一通用N型井区中；一第一通用P型掺杂区形成于该第一通用N型井区中；一第二通用N型井区形成于该P型半导体基板中；一第二通用N型掺杂区形成于该第二通用N型井区中，并电性连接一参考电位节点；一第二通用P型掺杂区形成于该第二通用N型井区中；一第三通用P型掺杂区形成于该第一通用N型井区与该第二通用N型井区之间，并电性连接该第一通用N型掺杂区与该第二通用P型掺杂区；以及多个周边N型井区形成于该P型半导体基板中，这些周边N型井区中各具有一P型掺杂区及一N型掺杂区，且这些P型掺杂区分别与对应的一输出输入端电性连接，这些N型掺杂区电性连接该第一通用P型掺杂区以及一总线。