[发明专利]磁存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110384063.8 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102916124A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑东河;朴基善;金国天 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁存储器件及其制造方法，所述磁存储器件包括：第一固定层；第一隧道势垒，所述第一隧道势垒与第一固定层耦合；自由层，所述自由层与第一隧道势垒耦合，且具有包括第一铁磁层、氧化物隧道间隔件和第二铁磁层的层叠结构；第二隧道势垒，所述第二隧道势垒与自由层耦合；以及第二固定层，所述第二固定层与第二隧道势垒耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁存储器件，包括：第一固定层；第一隧道势垒，所述第一隧道势垒与所述第一固定层耦合；自由层，所述自由层与所述第一隧道势垒耦合，且具有包括第一铁磁层、氧化物隧道间隔件和第二铁磁层的层叠结构；第二隧道势垒，所述第二隧道势垒与所述自由层耦合；以及第二固定层，所述第二固定层与所述第二隧道势垒耦合。
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