[发明专利]一种用于高压集成电路的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110384342.4 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137622A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/265;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种用于高压集成电路的半导体器件，包括：位于衬底内的P阱区，P阱区包括低压P阱区和高压P阱区；位于P阱区上表面的局部厚氧化层；位于P阱区内的P型掺杂区，P型掺杂区是通过一次掩膜曝光，向低压P阱区及高压P阱区的场区上表面内进行P场注入，以及向低压P阱区的有源区再进行防穿通注入形成；位于P阱区有源区上的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶硅栅；位于所述有源区和多晶硅层上的介质层和接触孔；位于所述介质层上表面和接触孔内的金属层。本发明实施例提供的半导体器件及其制造方法，降低了制造成本及传统工艺的复杂操作，并且也达到了保证器件和集成电路的性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高压 集成电路 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高压集成电路的半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底内的P阱区，所述P阱区包括低压P阱区和高压P阱区；位于所述P阱区上表面的局部厚氧化层；位于P阱区内的P型掺杂区，所述P型掺杂区是通过一次掩膜曝光，向低压P阱区及所述高压P阱区的场区上表面内进行P场注入，以及向所述低压P阱区的有源区再进行防穿通注入形成；位于所述P阱区有源区上的栅氧化层；位于所述栅氧化层上表面的多晶硅栅；位于所述有源区和多晶硅层上的介质层和接触孔；位于所述介质层上表面和接触孔内的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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