[发明专利]半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201110384575.4 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102479803A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 三笠典章 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其形成方法。一种半导体器件，其包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁。第一栅极绝缘膜覆盖所述第一和第二侧壁。第一栅极电极被设置在所述第一栅极绝缘膜上且在所述第一栅极凹槽的下部中。第一掩埋绝缘膜掩埋所述第一栅极凹槽，并且覆盖所述第一栅极电极。第一扩散区与所述第一栅极绝缘膜的第一上部相邻。所述第一上部在所述第一栅极凹槽的所述第一侧壁的上部上。第二扩散区与所述第一栅极凹槽的整个所述第二侧壁的部分相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽具有彼此面对的第一和第二侧壁；第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜覆盖所述第一栅极凹槽的所述第一和第二侧壁；第一栅极电极，所述第一栅极电极在所述第一栅极绝缘膜上，并且所述第一栅极电极在所述第一栅极凹槽的下部中；第一掩埋绝缘膜，所述第一掩埋绝缘膜掩埋所述第一栅极凹槽，并且所述第一掩埋绝缘膜覆盖所述第一栅极电极；第一扩散区，所述第一扩散区与所述第一栅极绝缘膜的第一上部相邻，所述第一上部在所述第一栅极凹槽的所述第一侧壁的上部上；以及，第二扩散区，所述第二扩散区与所述第一栅极凹槽的整个所述第二侧壁的部分相接触。
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