[发明专利]半导体芯片、包括其的堆叠芯片半导体封装及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110384864.4 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN102569269A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 姜泰敏 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明披露了一种半导体芯片、包括其的堆叠芯片半导体封装及其制造方法。该半导体芯片包括形成有通路孔的硅晶片、配置在该通路孔中的金属线、以及填充该通路孔时暴露该金属线的顶部一部分的填料。根据本发明,基本防止在制造半导体芯片的直通硅通道工艺中由于金属膜不完全填充通道孔而导致的焊垫开口失效。
搜索关键词: 半导体 芯片 包括 堆叠 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有通路孔的半导体芯片,包括:金属线,至少一部分位于该通路孔中;以及填料,填充其中具有该金属线的该通路孔,其中该金属线的第一端部暴露在该填料之外。
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