[发明专利]一种高纯碲纳米粉末的制备方法无效
| 申请号： | 201110385352.X | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102515116A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张忻;武鹏旭;马旭颐;路清梅;张久兴 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/02 | 分类号： | C01B19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高纯碲纳米粉末制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯碲块为阳极，金属钨为阴极，在高纯氩气压力为0.05～0.3MPa的气氛中，反应电流30～50A，阳极与阴极间电压为30～50V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的碲纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的碲纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 纳米 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯碲纳米粉末材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属碲块为阳极，金属钨为阴极，在氩气气压为0.05～0.3MPa的气氛中，反应电流30～50A，阳极与阴极间电压为30～50V，反应时间为20～40min，制备碲纳米粉末。
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