[发明专利]一种复合陶瓷薄膜叠层高储能密度电容器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110386156.4 申请日: 2011-11-28
公开(公告)号: CN102496457A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 王武尚;涂国荣;杨裕生 申请(专利权)人: 西北核技术研究所;中国人民解放军防化研究院第一研究所
主分类号: H01G4/06 分类号: H01G4/06;H01G4/30
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 71002*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种复合陶瓷薄膜叠层高储能密度电容器及其制备方法。本发明所提供的高储能密度电容器,是由多层复合陶瓷薄膜叠合而成,该复合陶瓷薄膜是以高介电常数的陶瓷颗粒为基体,以高击穿场强的有机高分子聚合物为填充剂和粘合剂,填充在陶瓷颗粒间的空隙中制成密实的复合薄膜,既免除耗能的高温烧结,又可大面积制备,更能完全地排除易于引起击穿的空气微泡,因而具有高的介电常数和耐压强度。用该复合陶瓷薄膜叠合而制成的电容器具有高的工作电压和储能密度。
搜索关键词: 一种 复合 陶瓷 薄膜 层高 密度 电容器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种复合陶瓷薄膜叠层高储能密度电容器,包括至少一层电容体块,所述电容体块包括复合陶瓷薄膜和电极,其特征在于:所述的复合陶瓷薄膜由相对介电常数大于10000的陶瓷颗粒和击穿场强大于60kV/mm的聚合物构成,其中陶瓷颗粒作为基体,粒径为0.005~5μm,聚合物作为填充剂和粘合剂密实填充于陶瓷颗粒间的空隙中;所述陶瓷颗粒所占的体积百分比为50~99%,聚合物所占的体积百分比为1~50%。
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