[发明专利]电吸收调制器及光半导体装置无效
| 申请号： | 201110386620.X | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102540504A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大和屋武 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;H01S5/343;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电吸收调制器，其目的在于，提高具有AlGaInAs光吸收层的电吸收调制器的特性。在n型InP衬底（1）上，按顺序层叠有n型InP包覆层（2）、AlGaInAs光吸收层（4）、p型InGaAsP光波导层（6）、以及p型InP包覆层（7）。p型InGaAsP光波导层（6）具有组成不同的三个InGaAsP层（6a、6b、6c）。InGaAsP层（6a、6b、6c）的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 调制器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种电吸收调制器，其特征在于，具备：半导体衬底；在所述半导体衬底上按顺序层叠的n型InP包覆层、AlGaInAs光吸收层、InGaAsP光波导层、以及p型InP包覆层，所述InGaAsP光波导层具有组成不同的多个InGaAsP层，所述多个InGaAsP层的价电子带间的能量势垒与InGaAsP层为单层的情况相比，其能量势垒变小。
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