[发明专利]一种不等高硅结构的加工方法有效
| 申请号： | 201110387142.4 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102491253A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨振川;闫桂珍;郝一龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种不等高硅结构的加工方法，其步骤为：(1)选用包括器件层、埋氧层和衬底层的硅基片；(2)在器件层表面生长一层氮化硅薄膜，采用光刻和干法刻蚀进行第一次光刻，制成与待加工硅结构形成互补的氮化硅区域；(3)对氮化硅区域内的器件层进行第二次光刻，以光刻胶和氮化硅为掩模进行硅各向异性刻蚀，在器件层形成硅槽，去除光刻胶；(4)对完成刻蚀硅槽的器件层进行氧化，在未被氮化硅覆盖的器件层表面生长出与氮化硅区域互补的氧化硅区域；(5)氧化后去除器件层表面的氮化硅，在器件层表面以氧化硅区域为掩模进行硅各向异性刻蚀至埋氧层，刻蚀出不等高硅结构；(6)去除硅基片的埋氧层，加工出可动的不等高硅结构。本发明可以广泛应用于微机电系统领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不等 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种不等高硅结构的加工方法，其包括如下步骤：(1)选用包括器件层、埋氧层和衬底层的硅基片；(2)在硅基片的器件层表面生长一层氮化硅薄膜，并采用光刻和干法刻蚀进行第一次光刻，制成与待加工硅结构形成互补的氮化硅区域；(3)对氮化硅区域内的器件层进行第二次光刻，以光刻胶和氮化硅为掩模进行硅各向异性刻蚀，在器件层形成与待加工不等高硅结构中高度被降低的硅结构对应的硅槽，然后去除光刻胶；(4)对完成刻蚀硅槽的器件层进行氧化，在未被氮化硅覆盖的器件层表面生长出与氮化硅区域互补的氧化硅区域；(5)氧化后去除器件层表面的氮化硅，在器件层表面以氧化硅区域为掩模进行硅各向异性刻蚀至埋氧层，刻蚀出不等高硅结构；(6)去除硅基片上与不等高硅结构区域对应的埋氧层，同时去除不等高结构上作为掩模的氧化硅区域，加工出可动的不等高硅结构。
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