[发明专利]一种含超低杂质硅化镁合金的制作方法

摘要

本发明涉及硅化镁合金，尤其涉及一种含超低杂质硅化镁合金的制作方法。其特征在于将金属镁脱银、磷、硅，使镁中硅、银、磷含量降至Ag<0．04，P<0．03，Si<0．8，将上述金属镁破碎至小于∮2的颗粒后置于不锈钢容器里；放进电炉中，将不锈钢容器上的不锈钢管分别接通纯硅气源和盛水容器；充纯硅气，观测硅气的流量，给电炉送电，升温至500—650℃，保温60—120小时；电炉断电，继续充硅气至不锈钢容器，温度降温至室温即可。本发明硅含量高、杂质元素低。工艺简单易行，从金属镁的杂质元素着手，经过简单的处理，能进一步降低硫、磷、银的含量，从而取得超低杂质含量的纯净化硅化镁,进行连续的、反应温度均匀的、生产效率高及含硅量高的大规模生产。

主权项

一种含超低杂质硅化镁合金的制作方法，其特征包括如下工艺步骤：    A、将金属镁脱硅、脱银、脱磷，使镁中硅、银、磷含量降为Ag<0．04，P<0．03，Si<0．8，余量为Mg；    B、将上述金属镁破碎至小于∮2的颗粒后，置于一密封的、其壁上装有两根不锈钢管的不锈钢容器里；    C、将上述不锈钢容器放进电炉中，将不锈钢容器上的不锈钢管分别接通纯硅气源和盛水容器； D、打开硅气源的通气阀，向盛有上述金属镁的不锈钢容器中充纯硅气，当盛水容器里的不锈钢管开口处有气泡冒出时，观测硅气的流量，给电炉送电，升温至500—650℃，保温60—120小时；    E、电炉断电，继续充硅气至不锈钢容器温度降温至室温，此时其内盛有的所述金属镁为超低杂质含量的硅化镁合金，具体为：Ag<0．01，P<0．015，S<0．6，Si为4.0‑6.8，余量为Mg。