[发明专利]改善锗硅膜层厚度均一性的方法无效
| 申请号： | 201110388437.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137444A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 钱志刚;季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善锗硅膜层厚度均一性的方法，该方法在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜前的任意一个或多个连续的工艺步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体。本发明通过用大量常温气体吹硅片基座，提高了硅片上热量分布的均匀性，有效改善了后续生长的锗硅膜层厚度的面内均一性，从而提高了产品电性参数的面内均一性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 锗硅膜层 厚度 均一 方法 | ||
【主权项】：
改善锗硅膜层厚度均一性的方法，其特征在于，在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜之前的任意一个或多个连续的步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
