[发明专利]湿法刻蚀清洗设备在审

专利信息
申请号: 201110388463.6 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102437014A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 张凌越;王强;郭国超;杨勇;张瑞朋 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B08B3/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种湿法刻蚀清洗设备。根据本发明的湿法刻蚀清洗设备包括去离子水管和用于布置晶片的水槽,每个去离子水管上均布置了多个排水孔,其中所述去离子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片喷射去离子水。每个去离子水管上布置了3排水孔,其中第一排孔用于向晶片中心方向出水,第二排孔用于向水槽侧壁方向出水,第三排孔用于向水槽底部方向出水。本发明通过优化水槽里的去离子水管、去离子水管上的排水孔的尺寸、以及去离子水管上的排水孔的排列方式中的至少一个,可以使去离子水管上每个排水孔喷出去离子水流量均匀一致,从而使每片晶片上获得均匀的去离子水流量和好的刻蚀速率片间均匀性。
搜索关键词: 湿法 刻蚀 清洗 设备
【主权项】:
一种湿法刻蚀清洗设备,其特征在于包括去离子水管和用于布置晶片的水槽,每个去离子水管上均布置了多个排水孔,其中所述去离子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片喷射去离子水。
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