[发明专利]湿法刻蚀清洗设备在审
| 申请号： | 201110388463.6 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437014A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张凌越;王强;郭国超;杨勇;张瑞朋 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀清洗设备。根据本发明的湿法刻蚀清洗设备包括去离子水管和用于布置晶片的水槽，每个去离子水管上均布置了多个排水孔，其中所述去离子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片喷射去离子水。每个去离子水管上布置了3排水孔，其中第一排孔用于向晶片中心方向出水，第二排孔用于向水槽侧壁方向出水，第三排孔用于向水槽底部方向出水。本发明通过优化水槽里的去离子水管、去离子水管上的排水孔的尺寸、以及去离子水管上的排水孔的排列方式中的至少一个，可以使去离子水管上每个排水孔喷出去离子水流量均匀一致，从而使每片晶片上获得均匀的去离子水流量和好的刻蚀速率片间均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 清洗 设备 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀清洗设备，其特征在于包括去离子水管和用于布置晶片的水槽，每个去离子水管上均布置了多个排水孔，其中所述去离子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片喷射去离子水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
