[发明专利]一种晶体硅片预清洗液及其预清洗工艺有效
| 申请号： | 201110388677.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102403251A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王永丰;朱生宾;刘光;谢忠阳 | 申请（专利权）人： | 合肥晶澳太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅片预清洗液，由以下质量百分含量的组分组成：柠檬酸钠3~15%，异丙醇3%-15%，余量为水。该该预清洗液成分简单，成本低，去除晶体硅片表面杂质残留效果好，对晶体硅片无损伤。还公开了利用上述晶体硅片预清洗液对晶体硅片进行预清洗的工艺，将待清洗的晶体硅片置于预清洗液中，在加热和超声波作用下对晶体硅片进行预清洗处理，该预清洗工艺工艺简单，清洗晶体硅片效率高，清洗效果好，经济安全，过程稳定，无污染；可以有效果的去除硅片表面的金属杂质残留、有机物污染残留、颗粒残留等，提升了晶体硅电池的良品率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅片 清洗 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体硅片预清洗液，其特征是由以下质量百分含量的组分组成：柠檬酸钠 3~15%，异丙醇3%‑15%，余量为水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
