[发明专利]硅纳米线器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110388988.X | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437190A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 朴海今;向勇 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供一种硅纳米线器件及其制作方法。本发明采用HKMG层(5)来取代传统硅纳米器件的氧化层，即，HK层(51)被MG层(52)覆盖，所以能够保护HK层(51)免受后续工序的影响，因此对HK层的厚度控制和均匀性控制的可靠性大幅度提升。而且，在干法释放工艺中，即使在硅纳米线器件的两侧形成侧墙(41)，也因MG层的导电性而能够使电荷均匀地分布在硅纳米线器件的表面，从而能够可靠地防止受影响率降低。由于采用HKMG层来取代传统硅纳米器件的氧化层，所以能够有效地降低硅纳米器件的EOT，从而能够增加其Cox，进而能够增加硅纳米器件对外界微弱信号的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线器件，包括形成在衬底上的硅纳米线和源/漏区，所述硅纳米线和所述源/漏区相连接，其特征在于，在所述硅纳米线的表面不存在氧化层，而且该硅纳米线的顶面及侧面被HKMG层即高介电常数绝缘层‑金属栅极层覆盖，该HKMG层是依次沉积高介电常数绝缘层和金属栅极层而成的。
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