[发明专利]一种消除沟槽顶端尖角的方法

摘要

本发明公开了一种消除沟槽顶端尖角的方法，包括如下步骤：1，ONO成长；2，ONO刻蚀；3，沟槽刻蚀：用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀；4，横向湿法刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅，要求完全露出沟槽顶端的尖角；5，全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜，同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜；6，对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀，同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀，减小顶端的尖角；7，在沟槽内生长一层牺牲氧化层，沟槽顶端尖角被完全氧化，尖角消失；8，牺牲氧化层湿法刻蚀；氮化硅湿法刻蚀，保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。本发明能消除沟槽顶端尖角，确保后续HDP能够无孔填充沟槽。

主权项

一种消除沟槽顶端尖角的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，ONO成长：在硅衬底的硅外延层上自下而上依次生长底层氧化膜、中间氮化硅和顶层氧化膜，形成ONO结构；步骤2，ONO刻蚀：带胶干法刻蚀，过刻蚀硅外延层；步骤3，沟槽刻蚀：用ONO作为硬质掩膜进行干法刻蚀；步骤4，湿法刻蚀氮化硅：横向刻蚀硬质掩膜的中间氮化硅，要求完全露出沟槽顶端的尖角；步骤5，湿法刻蚀氧化膜：全面刻蚀硬质掩膜上面残留的顶层氧化膜，同时横向刻蚀硬质掩膜的底层氧化膜；步骤6，沟槽同向刻蚀：对沟槽底部进行沟槽同向刻蚀，同时对顶端的尖角进行横向和纵向刻蚀，减小顶端的尖角；步骤7，牺牲氧化处理：在沟槽内生长一层牺牲氧化层，由于沟槽顶端尖角处氧化速度较快，因此顶端的尖角被完全氧化，尖角消失；步骤8，湿法刻蚀：牺牲氧化层湿法刻蚀，氮化硅湿法刻蚀，保留部分氮化硅作为HDP化学机械研磨的阻挡层。