[发明专利]基于ARM的嵌入式注入机控制系统有效
| 申请号： | 201110389219.1 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137410A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于ARM的注入机控制系统包括电源系统、反应腔室、预抽腔室、运行有注入机控制软件的上位机、真空控制系统、送片系统；所述真空控制系统在所述上位机的控制下，控制所述反应腔室、所述预抽腔室的真空度；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述上位机是基于ARM的方式实现。本发明提供的基于ARM的注入机控制系统信号采集系统整合度高，为控制提供了牢靠的外界条件，结构简单，可用于大面积的离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 arm 嵌入式 注入 控制系统 | ||
【主权项】：
一种基于ARM的嵌入式离子注入机，包括电源系统，其特征在于，还包括：反应腔室、预抽腔室、运行有注入机控制软件的上位机、真空控制系统、送片系统；所述真空控制系统在所述上位机的控制下，控制所述反应腔室、所述预抽腔室的真空度；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述上位机是基于ARM的方式实现。
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