[发明专利]石墨烯电子器件有效
申请号: | 201110389294.8 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102479804A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 许镇盛;徐顺爱;李晟熏;郑现钟;梁喜准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/78 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括:栅电极;设置在栅电极上的栅氧化物;形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层;以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中,多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。 | ||
搜索关键词: | 石墨 电子器件 | ||
【主权项】:
一种石墨烯电子器件,包括:栅电极;在所述栅电极上的栅绝缘层;在所述栅绝缘层上的石墨烯沟道层,所述石墨烯沟道层包括多个纳米孔;以及在所述石墨烯沟道层上的源电极和漏电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110389294.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电平位移电路及半导体器件
- 下一篇:存储装置
- 同类专利
- 专利分类