[发明专利]一种采用虚拟地结构实现的近阈值电源电压SRAM单元有效
| 申请号： | 201110389708.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102394102A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李玮;陆俊嘉;狄永清;尚壮壮;倪伟 | 申请（专利权）人： | 无锡芯响电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种采用虚拟地结构实现的近阈值电源电压SRAM单元，包括：一对交叉耦合的反相器，其中，一个反相器连接在电源Vcc和虚拟地VirVss之间，另一个反相器连接在电源Vcc和地Vss之间；一对互补MOS传输门，由PMOS晶体管和NMOS晶体管构成，其中PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的栅极分别与控制线相连，源极/漏极与上述连接在电源Vcc和虚拟地VirVss之间的反相器的输出端相连，漏极/源极与比特线相连。本发明能够实现SRAM在近阈值电源电压（300mv-500mv）下正常工作，实现低功耗SRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 虚拟 结构 实现 阈值 电源 电压 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种采用虚拟地结构实现的近阈值电源电压SRAM单元，包括：一对交叉耦合的反相器，所述的一对交叉耦合的反相器中的一个反相器连接在电源（Vcc）和虚拟地（VirVss）之间，另一个反相器连接在电源（Vcc）和地（Vss）之间；一对互补MOS传输门，所述互补MOS传输门由PMOS晶体管（PM0）和NMOS晶体管（NM0）构成，其中PMOS晶体管（PM0）的栅极与控制线相连，源极或漏极与上述连接在电源（Vcc）和虚拟地（VirVss）之间的反相器的输出端相连，漏极或源极与比特线（BL）相连，NMOS晶体管（NM0）的栅极与控制线相连，源极或漏极与上述连接在电源（Vcc）和虚拟地（VirVss）之间的反相器的输出端相连，漏极或源极与比特线（BL）相连。
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