[发明专利]一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺无效

专利信息
申请号: 201110390840.X 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102437239A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 沈辉;刘超;梁齐兵 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍
地址: 510006 广东省广州市番禺*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于太阳电池技术领域,具体公开一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺,其步骤是:(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒;(2)在单晶硅片前后表面制备n+层;(3)制备SiNx减反射薄膜;(4)通过激光开槽选择性刻去SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤;(5)制备银电极和铝电极及银铝焊接点;(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。该制作工艺流程简单,避免使用光刻和多次的化学腐蚀流程,激光的可控性好,生产速度快,同现有的工艺及设备兼容度高,只需要在现有的生产工艺中引入激光即可进行生产,易于产业化。
搜索关键词: 一种 电极 铝背结 太阳电池 制作 工艺
【主权项】:
一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺,其步骤是:(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒;(2)在单晶硅片前后表面制备n+层;(3)制备双面SiNx减反射薄膜;(4)通过激光开槽选择性刻去背面SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤;(5)制备银电极、铝电极及银铝焊接点;(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。
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