[发明专利]一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺无效
申请号: | 201110390840.X | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102437239A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 沈辉;刘超;梁齐兵 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于太阳电池技术领域,具体公开一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺,其步骤是:(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒;(2)在单晶硅片前后表面制备n+层;(3)制备SiNx减反射薄膜;(4)通过激光开槽选择性刻去SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤;(5)制备银电极和铝电极及银铝焊接点;(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。该制作工艺流程简单,避免使用光刻和多次的化学腐蚀流程,激光的可控性好,生产速度快,同现有的工艺及设备兼容度高,只需要在现有的生产工艺中引入激光即可进行生产,易于产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 铝背结 太阳电池 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺,其步骤是:(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒;(2)在单晶硅片前后表面制备n+层;(3)制备双面SiNx减反射薄膜;(4)通过激光开槽选择性刻去背面SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤;(5)制备银电极、铝电极及银铝焊接点;(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的