[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201110391133.2 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102437264A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 李园;郭磊 申请(专利权)人: 李园;郭磊
主分类号: H01L33/16 分类号: H01L33/16;H01L33/02;H01L33/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:衬底;和形成在衬底的顶面上的多个凸起,每个凸起具有顶面、位于衬底的顶面上的底面、彼此平行的第一端面和第二端面、和彼此平行的前侧面和后侧面,每个凸起的第一端面和后侧面为三角形、第二端面和前侧面为梯形、顶面和底面为四边形,每个凸起的第二端面与后侧面的交线以及该凸起的第一端面与前侧面的交线均短于该凸起的第二端面与前侧面的交线,多个凸起的顶面彼此平行,前侧面彼此平行,相邻两个凸起中一个凸起的后侧面与另一个凸起的前侧面在同一平面上以便多个凸起在衬底的顶面上构成锯齿状结构。在该半导体结构上制备非极性或半极性的LED器件,极大地提高发光效率。
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底;和多个凸起,所述多个凸起形成在所述衬底的顶面上,所述多个凸起沿所述衬底的纵向排列,所述每个凸起具有顶面、位于所述衬底的顶面上的底面、彼此平行的第一端面和第二端面、和彼此平行的前侧面和后侧面,每个所述凸起的第一端面和后侧面为三角形,每个所述凸起的第二端面和前侧面为梯形,每个所述凸起的顶面和底面为四边形,每个所述凸起的第二端面与后侧面的交线以及该凸起的第一端面与前侧面的交线均短于该凸起的第二端面与前侧面的交线,所述多个凸起的顶面彼此平行,所述多个凸起的前侧面彼此平行,相邻两个凸起中一个凸起的后侧面与另一个凸起的前侧面在同一平面上以便所述多个凸起在所述衬底的顶面上构成锯齿状结构。
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