[发明专利]一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110391156.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437031A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李辛毅;韩培德;毛雪;胡少旭;王帅;范玉杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅衬底的方法，实现了在硅材料中超过Mott相变的钛元素掺杂，进而制备出了硅基中间带材料，解决了钛元素在硅材料中高浓度非平衡掺杂困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 掺杂 中间 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，其特征在于，该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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