[发明专利]一种光刻机曝光方法有效
| 申请号： | 201110391163.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102411266A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;陈力钧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/22 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻机曝光方法，包括：步骤101、将硅片传送至硅片载片台；步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光。本发明提供的方法，确保了高温的芯片能够冷却而不会将形变传递给邻近的芯片，能够获得更佳的工艺套准进度，并且能够在光刻机连续工作的过程中实现高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻机曝光方法，包括：步骤101、将硅片传送至硅片载片台；步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光。
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