[发明专利]晶片缺陷的检测方法及系统有效

专利信息
申请号: 201110391378.5 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102412168A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 王洲男;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;郭明升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N21/95
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 董雅会;郭晓东
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种晶片缺陷的检测方法及系统,基于晶片的缺陷类型快速且准确地判断造成缺陷的原因,从而减少问题设备对产品质量的影响,同时提高生产效率。晶片缺陷的检测方法,用于分别在各检测站中检测并确定晶片上的缺陷的生产机台,包括使缺陷类型分别与各生产机台组相关联的关联步骤、扫描步骤、缺陷判断步骤、组别判断步骤、报警步骤、以及缺陷处理步骤。晶片缺陷的检测系统,用于分别在各检测站中检测并确定晶片上的缺陷的机械手,包括使缺陷类型分别与各装置组相关联的关联单元、扫描单元、缺陷判断单元、组别判断单元、报警单元、以及缺陷处理单元。
搜索关键词: 晶片 缺陷 检测 方法 系统
【主权项】:
一种晶片缺陷的检测方法,用于分别在各检测站中检测并确定晶片上的缺陷的生产机台,其特征在于,包括:关联步骤,使缺陷类型分别与各生产机台组相关联;扫描步骤,对晶片进行扫描并生成缺陷数据;缺陷判断步骤,基于规定缺陷数据判断各所述晶片是否存在缺陷;组别判断步骤,在所述缺陷判断步骤的判断结果为是的情况下,判断所述缺陷的缺陷类型;报警步骤,根据组别判断步骤的判定结果发出警报;缺陷处理步骤,对报警的生产机台组进行处理。
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