[发明专利]相变存储器的写均衡方法无效
申请号: | 201110391502.8 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102567213A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 周功业;谢雅旋;章征海;陈进才 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种相变存储器的写均衡方法,包括:将一个大容量的相变存储系统分成多个存储区域,每个区域包含多个存储阵列,每个阵列又包含多个存储行,每个存储行由多个字节组成,而且在同一个区域,文件数据以条带化方法存储以增加数据地址映射的散化度,阵列内部用邻行拷贝算法进行写均衡即维护一个空白行指针,将与该指针相邻的上一行的有效数据拷贝到该指针所指向位置,以此达到这两个存储行的写均衡,而所有阵列的空白行以隔行映射的方式映射到特殊阵列上,以提高特殊阵列的散化度。本发明能加大数据地址映射的散化度,更有效地抵御重复写相同存储单元的恶意攻击,以达到整个存储系统的写均衡,从而延长存储系统的寿命和利用率。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储器 均衡 方法 | ||
【主权项】:
一种相变存储器的写均衡方法,包括以下步骤:(1)对相变存储器进行初始化操作:将所述相变存储器划分为m个区域,每个区域包括n个阵列,每个阵列包括N个有效行和1个特殊行,每个所述有效行和所述特殊行均包括b个字节,前m‑1个区域为非特殊区域,第m个区域设置为特殊区域,并包括一个特殊阵列和多个冗余阵列,所述阵列的有效行和所述特殊行的地址均包括三元组(r,l,a),其中r为区域号,l为行号,a为区域内的阵列号,所述阵列在所述相变存储器中的阵列编号U=r*m+a‑l,设置下列参数:所述区域的阵列映射表、所述阵列的随机密钥表、所述相变存储器的写次数计数器i的初值为0及其阈值、所述阵列的写次数计数器j的初值为0及其阈值、所述阵列的起始行指针Phead的初值为0并指向所述阵列的首行,所述阵列的空白行指针Pblank的初值为N并指向所述阵列的空白行;(2)从相变存储器控制器获取逻辑地址LA,查找所述阵列映射表,以得到物理地址PA;(3)根据所述物理地址PA判断对所述相变存储器的操作类型是读操作还是写操作;(4)若所述操作类型是写操作,则设置所述写次数计数器i=i+1;(5)判断所述写次数计数器i是否不小于所述阈值;(6)若所述写次数计数器i不小于所述阈值,则读取所述阵列的起始行指针Phead以及空白行指针Pblank,并计算第x个阵列的总写次数wx=Phead*N+(N‑Pblank);(7)计算每个非特殊区域的总写次数为所述n个阵列的总写次数中的最大值;(8)对所述非特殊区域的总写次数按照由大到小的顺序进行排序,以找到两两总写次数之间的差大于1000000的两个非特殊区域;(9)对所述两个非特殊区域中的执行数据和参数的互拷贝操作,并更新所述阵列映射表,所述参数包括随机密钥表的表项值、起始行指针、阵列的写次数计数器j、空白行指针;(10)查找所述更新的阵列映射表,以得到更新后的物理地址PA;(11)将数据写入所述更新后的物理地址PA所指向的位置,并进行写后读校验检查:(12)读出写入的所述数据,并与原数据进行比较,以判断二者是否不相同;(13)若二者不相同,则将写入的所述数据拷贝到所述冗余阵列,并更新所述随机密钥表的表项值、所述阵列映射表的表项值以及所述物理地址PA;(14)设置所述写次数计数器j=j+1;(15)判断所述写次数计数器j是否不小于所述阈值;(16)若所述写次数计数器j不小于所述阈值,则将所述阵列中空白行指针指向的上一行的数据拷贝到所述空白行,更新所述空白行指针及所述写次数计数器j。
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