[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统无效
申请号: | 201110391540.3 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102420008A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋;崔雅洁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种存储阵列单元信息读取方法及系统,同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线,在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压,在包括被读取存储单元另一根位线在内的至少一根连续位线施加第二读取电压,第二读取电压高于第一读取电压,与施加第二读取电压的位线相邻的位线施加与第二读取电压相等的电压,在与被读取存储单元较高电压的位线相邻的多个存储单元两端不存在电位差,不会延长被读取存储单元的位线充电至第二读取电压需要的时间,能够保证被读取存储单元上的读取精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储 阵列 单元 信息 读取 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种存储阵列单元信息读取方法,其特征在于,包括:选通被读取存储单元的字线;选通存储阵列的多根连续位线,其中在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压,在至少两根连续位线施加第二读取电压,其中包括被读取存储单元的另一根位线,所述第二读取电压高于第一读取电压;与施加所述第二读取电压的位线相邻的位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压;在一个读取过程中每根位线只能施加一次电压;比较被读取存储单元上产生的电流与预设参考电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。
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