[发明专利]GaN基p-i-p-i-n结构紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及紫外探测器技术领域，公开了一种GaN基p-i-p-i-n结构紫外探测器及其制备方法，该探测器自下至上依次包括用于生长AlxGa1-xN材料的衬底、n型层、i型倍增层、p型过渡层、i型光敏吸收层和p型层，其中，0≤x≤1。本发明的探测器具有如下两个优点：第一，倍增区和吸收区分离的特点使载流子雪崩倍增距离提高，从而使灵敏度大大增加。第二，在p-i-p-i-n结构中，电场主要集中于倍增区，这种特点使得吸收区可以做得更厚，从而使得吸收效率提高的同时基本不影响工作电压的选取，进而使得工作点的选取变得更加灵活，探测器的适用性得以提高。

主权项

一种GaN基p‑i‑p‑i‑n结构紫外探测器，其特征在于，自下至上依次包括用于生长AlxGa1‑xN材料的衬底、n型层、i型倍增层、p型过渡层，i型光敏吸收层和p型层，其中，0≤x≤1。