[发明专利]单晶体管DRAM及其制备方法无效
| 申请号： | 201110391697.6 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102412204A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶体管DRAM及其制备方法，其中，所述晶体管为NMOS晶体管，所述方法包括如下步骤：绝缘体上硅SOI晶片的P型硅顶层中对应于NMOS晶体管的漏区位置形成P型SiGe外延层；对所述SOI晶片表面进行全局晶片化表面干氧氧化，直到所述P型SiGe外延层中的锗含量达到预设的摩尔比；以及将高浓度N+离子注入所述NMOS晶体管的源区与所述P型SiGe外延层，形成N型硅源区与N型SiGe漏区，再将C离子注入所述N型硅源区，直到所述源区中的碳含量达到预设的摩尔比，形成N型SiC源区，以形成绝缘体上碳硅-硅-锗硅异质结单晶体管DRAM结构。本发明可以使载流子产生速率增大，电流增益增大，从而有效地降低工作电压，同时增大了信号裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 dram 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶体管DRAM制备方法，所述晶体管为NMOS晶体管，所述方法包括如下步骤：在绝缘体上硅SOI晶片的P型硅顶层中对应于NMOS晶体管的漏区位置形成P型SiGe外延层；对所述SOI晶片表面进行全局晶片化表面干氧氧化，直到所述P型SiGe外延层中的锗含量达到预设的摩尔比；以及将高浓度N+离子注入所述NMOS晶体管的源区与所述P型SiGe外延层，形成N型硅源区与N型SiGe漏区，再将C离子注入所述N型硅源区，形成N型SiC源区，直到所述N型SiC源区中的碳含量达到预设的摩尔比，以形成绝缘体上碳硅‑硅‑锗硅异质结单晶体管DRAM结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
