[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统有效

专利信息
申请号: 201110391811.5 申请日: 2011-11-30
公开(公告)号: CN102426852A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋;崔雅洁 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22;G11C7/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明;王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种存储阵列单元信息读取方法及系统,同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线,在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压,另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压,与被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的连续多根位线施加与所述第二读取电压相等的电压,在与被读取存储单元较高电压的位线相邻的多个存储单元两端不存在电位差,避免了相邻存储单元带来的电流泄漏问题,提高了存储单元的存储信息读取精度。
搜索关键词: 一种 存储 阵列 单元 信息 读取 方法 系统
【主权项】:
一种存储阵列单元信息读取方法,其特征在于,包括:选通被读取存储单元的字线;选通存储阵列的多根连续位线,其中在所述被读取存储单元的两根位线分别施加第一读取电压和第二读取电压,所述第二读取电压高于第一读取电压;与施加所述第二读取电压的位线相邻的连续多根位线同时施加与所述第二读取电压相等的电压;比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。
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