[发明专利]深沟槽拐角钝化改善的方法有效
| 申请号： | 201110391830.8 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137487A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郁新举;吴志勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽拐角钝化改善的方法，包括步骤：1)在硅基板上成长一层硬质掩膜板基材，并形成光刻图案；2)刻蚀形成硬质掩膜板图案；3)刻蚀形成深沟槽；4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀；5)去除深沟槽顶部尖角；6)去除硬质掩膜板。本发明能实现深沟槽尖角的钝化，解决了绝缘栅双极型晶体管器件中深沟槽的顶端尖角问题。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 拐角 钝化 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽拐角钝化改善的方法，其特征在于，包括步骤：(1)在硅基板上成长一层硬质掩膜板基材，并形成光刻图案；(2)刻蚀形成硬质掩膜板图案；(3)刻蚀形成深沟槽；(4)将硬质掩膜板向两侧刻蚀；(5)去除深沟槽顶部尖角；(6)去除硬质掩膜板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
