[发明专利]一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法及装置有效
| 申请号： | 201110392783.9 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437069A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;李建;张景春 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琳;张龙哺 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法以及监控装置，该方法包括：检测进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；根据所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；设定预设有阈值的控制线；如果所述统计过程控制曲线的范围在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线的范围超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。本发明可有效预防预处理工艺的失效，从而提高产品的可靠性与稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 阻挡 工艺 中的 预处理 监控 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法，包括：检测进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；根据所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；设定预设有阈值的控制线；如果所述统计过程控制曲线的范围在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线的范围超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
