[发明专利]用于等离子体刻蚀的先进工艺控制方法有效
| 申请号： | 201110392794.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102426421A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李程;张瑜;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05B15/02 | 分类号： | G05B15/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于等离子体刻蚀的先进工艺控制方法，包括下述步骤：S1：通过刻蚀机对一晶圆进行刻蚀；S2：对所述晶圆的至少一个刻蚀参数进行实时的数据采集；S3：根据所采集的数据调整所述晶圆当前的刻蚀参数，然后转入步骤S1，直至完成刻蚀。本发明能够精确控制刻蚀过程，提高刻蚀质量和良品率，减少返工和废弃率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 刻蚀 先进 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体刻蚀的先进工艺控制APC方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：通过刻蚀机对一晶圆进行刻蚀；S2：对所述晶圆的至少一个刻蚀参数进行实时的数据采集；S3：根据所采集的数据调整所述晶圆当前的刻蚀参数，然后转入步骤S1，直至完成刻蚀。
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