[发明专利]一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法无效
| 申请号： | 201110392877.6 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102431957A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 韩培德;李辛毅;毛雪;胡少旭;王帅;范玉杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法，包括：在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管；在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜，在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅薄膜进行硫系元素掺杂，形成黑硅红外吸收层；在该黑硅红外吸收层上沉积氮化硅薄层，作为表面钝化层；以及为温敏二极管制备金属导线和具有热绝缘作用的悬臂梁结构，形成非制冷热红外探测器。本发明充分利用了黑硅材料的高红外辐射吸收和易于与微电子加工工艺兼容的特性，所制备热红外探测器具有灵敏度高、成本低、易于采用SOI-CMOS和CMOS工艺实现的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 材料 制冷 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管；在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜，在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅薄膜进行硫系元素掺杂，形成黑硅红外吸收层；在该黑硅红外吸收层上沉积氮化硅薄层，形成表面钝化层；以及为温敏二极管制备金属导线和具有热绝缘作用的悬臂梁结构，形成非制冷热红外探测器。
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