[发明专利]一种消除PMOS中负偏压温度不稳定性影响的方法无效
| 申请号： | 201110393297.9 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102437025A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 闫锋;纪小丽;廖轶明 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的-30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1-5min，器件阈值电压会很快恢复。本发明所述的通过低温减少NBTI现象并使得其能完全恢复的过程，不需要改变器件工艺，不会对其性能造成影响。不需要改变电路设计。能消除NBTI过程中除阈值电压漂移外的亚阈值斜率(St)的改变和载流子迁移率的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 pmos 偏压 温度 不稳定性 影响 方法 | ||
【主权项】：
消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，其特征是采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的‑30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1‑5min，器件阈值电压会很快恢复
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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