[发明专利]基板的品质评价方法及其装置无效
申请号: | 201110393732.8 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102543789A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 酒井薰;丸山重信;吉武康裕;山口清美 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;曹鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供基板的品质评价方法及其装置,其在ELA工序中,高速并且与目视检查员的品质评价值或最终画质相匹配。一边使成为评价对象的基板在一个方向上连续地移动,一边拍摄向基板从倾斜方向照射光后由于在基板上形成的多晶硅薄膜而产生的一次衍射光所形成的像来取得一次衍射光像,并且拍摄来自基板的正反射光或透射光的光轴附近的散射光的像来取得光轴附近的散射光像,对该取得的一次衍射光像的图像和光轴附近的散射光像的图像进行处理,提取多个特征,使用该提取的多个特征中的至少一个以上的特征,按照事先设定的评价基准,计算在基板上形成的多晶硅薄膜的品质评价值,来评价在基板上形成的多晶硅薄膜的品质。 | ||
搜索关键词: | 品质 评价 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种基板的品质评价装置,其评价在基板上形成的多晶硅薄膜的品质,其特征在于,具备:工作台单元,其放置成为评价对象的基板,并能够在至少一个方向上连续地移动;图像取得单元,其拍摄向放置在该工作台单元上的所述基板从倾斜方向照射光后由于在所述基板上形成的多晶硅薄膜而产生的一次衍射光所形成的像来取得一次衍射光像,并且拍摄来自所述基板的正反射光或透射光的光轴附近的散射光的像来取得光轴附近的散射光像;特征提取单元,其对该图像取得单元所取得的所述一次衍射光像的图像和所述光轴附近的散射光像的图像进行处理,提取多个特征;以及品质评价值计算单元,其使用该特征提取单元提取出的该多个特征中的至少一个以上的特征,按照事先设定的评价基准,计算在该基板上形成的多晶硅薄膜的品质评价值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术,未经株式会社日立高新技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110393732.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造