[发明专利]通量编程的多位磁存储器有效

专利信息
申请号: 201110394102.2 申请日: 2011-11-22
公开(公告)号: CN102479919A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: N·艾曼;D·V·季米特洛夫;习海文;S·S·薛 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱慰民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于例如多位磁性随机存取存储器单元的非易失性存储器单元的装置和相关方法。根据各实施例,第一磁隧道结(MTJ)毗邻于具有磁性过滤器的第二MTJ。第一MTJ通过第一磁通量编程为第一逻辑状态,同时磁性过滤器吸收第一磁通量以防止第二MTJ被编程。
搜索关键词: 通量 编程 磁存储器
【主权项】:
一种存储器单元,包括与具有磁性过滤器的第二磁性隧道结(MTJ)毗邻的第一磁性隧道结(MTJ),所述第一MTJ通过第一磁通量被编程至第一逻辑状态,同时所述磁性过滤器吸收所述第一磁通量以防止所述第二MTJ被编程。
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