[发明专利]磁存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110394804.0 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102916125A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑东河;朴基善;闵受练 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供磁存储器件及其制造方法。所述垂直磁存储器件，包括：钉扎层，所述钉扎层包括与至少一个第一间隔件交替层叠的多个第一铁磁层，其中，所述钉扎层被配置为具有垂直磁化；自由层，所述自由层包括与至少一个第二间隔件交替层叠的多个第二铁磁层；以及隧道势垒部，所述隧道势垒部耦合在所述钉扎层与所述自由层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直磁存储器件，包括：钉扎层，所述钉扎层包括与至少一个第一间隔件交替层叠的多个第一铁磁层，其中，所述钉扎层被配置为具有垂直磁化；自由层，所述自由层包括与至少一个第二间隔件交替层叠的多个第二铁磁层；以及隧道势垒部，所述隧道势垒部耦合在所述钉扎层与所述自由层之间。
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