[发明专利]一种太阳能电池边缘刻蚀方法无效
申请号: | 201110394838.X | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN102437240A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 王锋萍 | 申请(专利权)人: | 百力达太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;柏子雵 |
地址: | 314512 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池边缘刻蚀方法,其特征在于,步骤为:提供扩散后的硅片,对其进行一次等离子刻蚀,去除硅片四周的磷硅玻璃,随后,将等离子刻蚀后的硅片按照常规流程进行湿法刻蚀。本发明提供的太阳能电池边缘刻蚀方法,通过增加一次传统的等离子刻蚀,去除扩散后的硅片周边的磷硅玻璃,而使中间大部分的面积上保留磷硅玻璃的覆盖,从而在后续的湿法刻蚀过程中保护扩散层不受气相腐蚀,提高方块电阻稳定性;同时利用硅片周边的裸露硅本体的疏水性质防止刻蚀液浸润硅片的上表面。两次刻蚀后,电池片的并联电阻和填充因子明显提高,漏电流显著降低。从而实现低成本,高稳定性,高并联电阻的湿法刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 边缘 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池边缘刻蚀方法,其特征在于,步骤为:提供扩散后的硅片,对其进行一次等离子刻蚀,去除硅片四周的磷硅玻璃,随后,将等离子刻蚀后的硅片按照先去磷硅玻璃后刻蚀的流程进行湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的