[发明专利]ITF电容参数的提取结构和方法无效
申请号: | 201110394946.7 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN103258811A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 魏泰;秦晓静;蒋乐乐;程玉华 | 申请(专利权)人: | 上海北京大学微电子研究院 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G01R27/26;G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法,以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真,在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数,并将仿真结果和实测值进行对比,取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值;该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。 | ||
搜索关键词: | itf 电容 参数 提取 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构,其特征在于,包括:两组互连线测试结构;所述两组互连线测试结构包括三层平行金属板组成的互连线电容测试结构;以及由中间一层combmeander结构和所述combmeander结构上下各一层平行金属板组成的互连线电容测试结构。
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