[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法有效
申请号: | 201110395031.8 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102544282A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 方彦翔;赵主立;胡智威;郭义德 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种氮化物半导体基板及其制造方法,所述氮化物半导体基板包括基材、图案化氮化物半导体、保护层以及氮化物半导体层。图案化氮化物半导体层位于基材上,其中图案化氮化物半导体层包括多个纳米柱结构以及多个块状图案,且纳米柱结构的上表面与块状图案的上表面实质上共平面。保护层披覆在纳米柱结构与块状图案的侧壁上。氮化物半导体层位于图案化氮化物半导体层上,其中氮化物半导体层与图案化氮化物半导体层的间具有多个纳米孔洞。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化物半导体基板,其特征在于,包括:一基材;一图案化氮化物半导体层,位于该基材上,其中该图案化氮化物半导体层包括多个纳米柱结构以及多个块状图案;一保护层,披覆在该些纳米柱结构与该些块状图案的侧壁上;以及一氮化物半导体层,位于该图案化氮化物半导体层上,其中该氮化物半导体层与该图案化氮化物半导体层之间具有多个纳米孔洞。
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