[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201110395474.7 | 申请日： | 2011-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103137797A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构；刻蚀所述第一半导体层，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层及第二半导体层，所述活性层与第一半导体层接触表面与所述图案化的表面相啮合；去除所述基底，暴露出第一半导体层表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第一电极；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面生长一第一半导体层；在所述第一半导体层远离基底的表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个条形凸起结构并排延伸，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第一半导体层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个凹槽，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构，从而形成一图案化的表面；在所述多个三维纳米结构表面形成一活性层，所述活性层与第一半导体层接触的表面与所述图案化的表面相啮合；在所述活性层远离所述第一半导体层的表面形成一第二半导体层；去除所述基底，暴露出第一半导体层表面；在暴露的第一半导体层表面设置一第一电极与所述第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。
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