[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201110395475.1 | 申请日: | 2011-12-03 |
公开(公告)号: | CN103137803A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/24 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管,其包括:一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于一基底一表面,所述第一半导体层与所述基底接触设置,所述第二半导体层远离活性层的表面为所述发光二极管的出光面,一第一电极与所述第一半导体层电连接,一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的表面,其中,所述活性层至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面,所述发光二极管的出光面及所述基底与第一半导体层接触的表面中的至少一表面为多个三维纳米结构并排延伸形成的图案化的表面,每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,其包括:一基底,所述基底包括一外延生长面;一第一半导体层设置于所述基底的外延生长面,所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面,所述第一表面与所述基底相邻;一活性层以及一第二半导体层依次层叠于所述第一半导体层的第二表面,且所述活性层与所述第一半导体层相邻,所述第二半导体层远离活性层的表面形成所述发光二极管的出光面;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其特征在于,所述第一半导体层的第二表面及所述第二半导体层远离活性层的表面为多个三维纳米结构形成的图案化的表面,其中每一三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱,所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸,相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽,相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽,所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度,所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合。
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