[发明专利]栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110397002.5 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102522386A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;洪杰;张钢刚;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构及测试方法，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域，所述测试结构包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET与其对应的p型栅氧化层电容，以及p型MOSFET与其对应的n型栅氧化层电容共用栅极。本发明采用同一测试结构便可完成对n和p型MOS器件栅氧化层界面陷阱密度的测试，且缩短了测量时间、提高了测试效率，降低了测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 界面 陷阱 密度 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层界面陷阱密度测试结构，其特征在于，包括n型MOSFET及对应的p型栅氧化层电容，或者p型MOSFET及对应的n型栅氧化层电容；所述n型MOSFET与其对应的p型栅氧化层电容，以及p型MOSFET与其对应的n型栅氧化层电容共用栅极。
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