[发明专利]PMOS晶体管金属栅极的制造方法有效
| 申请号： | 201110397349.X | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137456A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及PMOS晶体管金属栅极的制造方法，通过形成低氧浓度功函数金属层和高氧浓度功函数金属层共同组成的功函数金属层，其中低氧浓度功函数金属层能够降低栅极消耗效应(Gate Depletion Effects)，所述高氧浓度功函数金属层能够提高功函数金属层的功函数值，从而提高金属栅极的功函数值，使采用金属栅极的功函数值能够达到现有技术中多晶硅栅极的功函数值，满足工艺要求，并提高PMOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 金属 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管金属栅极的制造方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层及位于所述介质层中的虚设栅极；去除所述虚设栅极，形成沟槽；在所述沟槽的底面和内壁上形成低氧浓度功函数金属层；在所述低氧浓度功函数金属层上形成高氧浓度功函数金属层，所述低氧浓度功函数金属层与所述高氧浓度功函数金属层共同构成所述PMOS晶体管的功函数金属层；在所述沟槽中填充形成金属栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110397349.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微生物酶发酵混合搅拌装置
- 下一篇：光合培养发酵装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
