[发明专利]一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201110397518.X | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102443853A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 熊巍;袁晖;周尧;陈良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法，是采用坩埚下降法工艺，其特征在于：所述的籽晶是径向尺寸为10～25mm的圆形或方形的钨酸铅晶体；所述的坩埚包括呈圆锥状籽晶端，籽晶端的放肩角为30～45度；晶体生长时，需控制放肩阶段最大下降速率为0.4～0.8mm/h，晶体生长阶段最大下降速率为0.8～1.2mm/h。本发明用坩埚下降法工艺，实现了采用较小直径的籽晶生长得到直径达50mm的掺杂稀土离子的PWO大单晶，且制得的大单晶在机械加工中不易开裂，可满足发光材料的应用要求；而且，本发明的制备工艺简单，生长后的晶体无需复杂的退火后处理，即可满足机械加工要求，具有工业化应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 稀土 离子 钨酸铅大单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法，是采用坩埚下降法工艺，包括原料合成、籽晶准备与坩埚制备和晶体生长步骤，其特征在于：所述的原料合成包括钨酸铅多晶料锭的合成及将稀土氧化物掺入合成的钨酸铅多晶料锭中；所述的籽晶是径向尺寸为10～25mm、长度为40～60mm的圆形或方形钨酸铅(PWO)晶体；所述的坩埚包括籽晶端，所述籽晶端呈圆锥状结构，籽晶端的放肩角，即圆锥的半顶角，为30～45度；晶体生长时，需控制生长区域温度梯度为20～60℃/cm，放肩阶段最大下降速率为0.4～0.8mm/h，晶体生长阶段最大下降速率为0.8～1.2mm/h。
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