[发明专利]半导体芯片的TSV封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201110397681.6 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103137584A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 沈建树;王晔晔;赖芳奇;张春艳;吕军;黄小花;房玉亮;张志良;姜丁荧;顾高峰;施林波;许红权 | 申请（专利权）人： | 昆山西钛微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片的TSV封装结构及其封装方法，所述半导体芯片具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN，在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。该TSV封装结构和封装方法不仅简单，操作容易，而且可适用于芯片PIN较小的产品，同时不良率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 tsv 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的TSV封装结构，所述半导体芯片(1)具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层(2)，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN(3)，其特征在于：在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口(4)使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层(5)；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔(6)；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道(7)，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。
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