[发明专利]在层间介质层自对准形成空隙的方法

摘要

本发明提供了一种在层间介质层自对准形成空隙的方法，通过硬掩膜及导线进行自对准刻蚀形成凹陷，且通过等离子体化学气相沉积及干法刻蚀可控的在凹陷侧壁形成第二介质层，以调整凹陷的具体尺寸，相对于现有技术，其工艺可控性强，步骤简单，进而降低了工艺成本。

主权项

一种在层间介质层自对准形成空隙的方法，包括：提供预先形成的半导体器件，并在所述半导体器件上依次形成第一阻挡层和第一层间介质层；刻蚀所述第一层间介质层和刻蚀阻挡层形成多个沟槽和通孔，并在所述多个沟槽和通孔中形成导线；在所述第一层间介质层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，并以所述图案化硬掩膜刻蚀所述导线间的第一层间介质层形成凹陷；在刻蚀后的凹陷两侧及底部表面上形成第二介质层，并通过干法刻蚀去除所述凹陷底部表面的所述第二介质层，以在所述凹陷两侧形成由第二介质层构成的侧壁层；去除所述图案化硬掩膜层，并在所述凹陷上方形成第二阻挡层，以封盖所述凹陷形成空隙。